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J-GLOBAL ID：201202251602789438   整理番号：12A1166674

超高真空処理したPd箔表面の活性点評価

Evaluation of Active Sites over the UHV Treated Pd Foil Surface

著者 (4件)： 伊藤龍彦 (Dep. of Chemical Sci. and Engineering Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  谷屋啓太 (Dep. of Chemical Sci. and Engineering Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  市橋祐一 (Dep. of Chemical Sci. and Engineering Graduate School of Engineering, Kobe Univ.) ,  西山覚 (Dep. of Chemical Sci. and Engineering Graduate School of Engineering, Kobe Univ.)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 33  号： 7  ページ： 394-398 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属触媒の表面評価のためのH₂-D₂滴定法を提案し,H₂-D₂交換反応のためのUHV処理により修飾されたPd箔モデル触媒の表面再構成の研究に応用した。UHV処理はPd箔触媒の再構成表面,H₂-D₂交換活性の改良そして活性化エネルギーの減少をもたらす。UHV-処理Pd箔触媒のH₂-D₂滴定は,強く吸着した水素原子種の数がUHV処理で増加したことを示した。これらのことからUHV処理はPd箔触媒上に新しい活性部位を生成すると強く示唆している。SEM研究もまらUHV処理によるPd箔触媒の表面再構成を支持している。本報告では低表面積金属触媒上の水素活性化部位のためのH₂-D₂滴定の高感度を紹介する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *真空処理 ,  *金属箔 ,  水素 ,  重水素 ,  表面再構成 ,  *活性部位 ,  パラジウム ,  吸着 ,  滴定 ,  *パラジウム触媒 ,  触媒活性 ,  *超高真空 ,  同位体交換 ,  水素/重水素交換

分類 (1件)： 貴金属触媒  (CB06122I)

引用文献 (3件)：

• 1) H.S. Taylor, Proc. Soc. A-108, 105 (1925).
• 2) J.M. Laffety, “Scientific Foundations of VACUUM TECHNIQUE,” (John Wiler & Sons, Inc., New York).
• 3) S. Nishiyama, K. Yoshioka, T. Yoshida, S. Tsuruya and M. Masai, Appl. Surf. Sci. 33/34, 1081 (1988).

タイトルに関連する用語 (5件)： 高真空 ,  PD ,  箔 ,  活性点 ,  評価