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J-GLOBAL ID：201202251641206113   整理番号：12A1174554

40GHzにおける高出力GaN-on-Siトランジスタの初めての実証

First Demonstration of High-Power GaN-on-Silicon Transistors at 40GHz

著者 (6件)： MEDJDOUB F. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq) ,  ZEGAOUI M. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq) ,  GRIMBERT B. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq) ,  DUCATTEAU D. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq) ,  ROLLAND N. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq) ,  ROLLAND P.A. (Inst. Electronique, de Microelectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Rech. Scientifique, Villeneuve d’Ascq)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 1168-1170  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上に成長させた窒化ガリウム(GaN-on-Si)によるHEMTsは,標準的なシリコンデバイスに代わる次世代のコスト効率のよいデバイスの候補として期待されている。本稿では,AlN/GaNヘテロ構造を使った40GHzの高電力密度GaN-on-Si HEMTsについて報告した。最適化した超薄AlN/GaN二重ヘテロ構造を使用することにより高周波数性能(f_max≒200GHz)が得られた。またトラッピング効果の制御により40GHzにおいてV_DS=15Vで2.5W/minを記録した。主要な制約はRF損失と熱問題であった。これらの結果,この技術は高出力ミリ波増幅器として期待できる。

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  窒化アルミニウム ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  超薄膜 ,  電気回路 ,  増幅器 ,  EHF波
準シソーラス用語： AlN ,  GaN ,  *ミリ波増幅器 ,  高周波回路 ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  GaN ,  Si ,  トランジスタ ,  実証