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J-GLOBAL ID：201202251650786815   整理番号：12A1187670

2峰ドット高さ分布を有するInGaAsで被覆した広帯域のInAs/GaAs量子ドット赤外検出器

Broadband InGaAs-capped InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with Bi-modal dot height distributions

著者 (2件)： LIN Wei-hsun (Inst. of Electronics Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LIN Shih-yen (Res. Center for Applied Sciences, Academia Sinica, Taipei 11529, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 034508-034508-4  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)高さ分布のInGaAsで被覆したInAs/GaAs量子ドット赤外線検出器(QDIP)の検出波長に及ぼす影響を研究する。2.8および2.0単層(ML)InAs被覆を有するデバイスに対して7.6と10.4μmの検出波長を観察する。この結果から,ドット高さが減少するとより長い波長を検出できるということが推察できる。2峰ドット高さ分布を持つ2,4ML InAs QDを使用し,大きなおよび小さなInAs QDによって与えられる~8と~10μmのピーク検出波長の組み合わせによって,6~12μm広帯域QDIPを実現する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *赤外検出器 ,  *量子ドット ,  *ヒ化インジウム ,  *ヒ化ガリウム ,  分布 ,  高さ ,  波長 ,  広帯域 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  被覆
準シソーラス用語： 赤外線領域 ,  二峰分布

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： ドット ,  高さ ,  分布 ,  InGaAs ,  広帯域 ,  InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  赤外検出器