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J-GLOBAL ID：201202251697408037   整理番号：12A0652199

Ge/Si(001)ヘテロ構造についての高温X線回折測 残留引張応力の研究

High temperature x ray diffraction measurements on Ge/Si(001) heterostructures: A study on the residual tensile strain

著者 (5件)： CAPELLINI G. (Dipartimento di Fisica “E. Amaldi”, Universita degli Studi Roma Tre, via Vasca Navale 84, Roma 00146, ITA) ,  DE SETA M. (Dipartimento di Fisica “E. Amaldi”, Universita degli Studi Roma Tre, via Vasca Navale 84, Roma 00146, ITA) ,  ZAUMSEIL P. (IHP, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder) 15236, DEU) ,  KOZLOWSKI G. (IHP, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder) 15236, DEU) ,  SCHROEDER T. (IHP, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder) 15236, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 7  ページ： 073518-073518-6  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空化学蒸着で成長させたGe/Si(001)ヘテロ構造を可変温度高分解能X線回折で,この系で観測した残留引張応力の原因を探る目的で調べた。この目的のために,堆積したGe膜とSi基板の面内および面外格子定数を同時測定し,Geの歪展開をエピ層を堆積温度まで,さらにそれを越えて焼なまし,さらに室温まで戻る間に直接測定ができた。SiとGeの熱膨張係数の違いから生じた引張歪が,部分的にGeの硬化限界に起因した残留圧縮ヘテロエピタクシー歪で補償されることを観測した。このためこのヘテロ系で観測できる引張歪の限度は約0.002であった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  X線回折 ,  *引張応力 ,  格子定数 ,  *ヘテロエピタクシー ,  *焼なまし ,  熱膨張係数 ,  *残留歪 ,  化学蒸着 ,  超高真空
準シソーラス用語： *ヘテロ構造

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ge ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  X線回折 ,  残留 ,  引張応力 ,  研究