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J-GLOBAL ID:201202251711476407   整理番号:12A0165337

静電気力顕微鏡によって測定したCdSe/CdTeから成るヘテロナノワイヤにおける電荷分離

Charge separation in CdSe/CdTe hetero-nanowires measured by electrostatic force microscopy
著者 (5件):
資料名:
巻: 100  号:ページ: 022110  発行年: 2012年01月09日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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自立した軸性のII型のCdSe/CdTeから成るヘテロナノワイヤの電荷状態を,静電気力顕微鏡によって観察した。Raman分光法によって明確にされたCdSeおよびCdTeの断片は,それぞれ負および正に帯電していることが分かった。局所的な光照射のある場合と無い場合について,電荷状態を観察した。それぞれのナノワイヤ断片に帯電した反対の符号を持つ電荷量は,照射強度の増大に伴って増加し,このことはCdSe/CdTe界面を横切る光励起された電子-正孔対の電荷分離に起因することが分かった。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
分類
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 
タイトルに関連する用語 (4件):
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