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J-GLOBAL ID：201202251773342768   整理番号：12A1767383

めっき技術の未来を見つめる 超臨界ナノプレーティング法の開発と超微細配線への応用

著者 (3件)： 曽根正人 (東京工大 精密工研) ,  清水哲也 (東京工大 精密工研) ,  CHANG Tso-Fu Mark (東京工大 精密工研)
資料名： 精密工学会誌  (Journal of the Japan Society for Precision Engineering)
巻： 78  号： 12  ページ： 1030-1033  発行年： 2012年12月05日 
JST資料番号： F0268C  ISSN： 0912-0289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本報では精密めっき,および超臨界流体技術とめっき技術を融合させた表面処理法であるSNP(超臨界ナノプレーティング)法について紹介し解説した。主な内容項目を次に示した。1)はじめに:半導体産業でのMEMSやマイクロマシンで求められる環境保全・省エネルギーを両立した革新的めっき技術,超臨界流体のナノテクノロジーへの世界的展開,SNP法の開発経緯,2)精密めっきとは:「めっき被膜が組成・形状・膜厚などで精密に制御されためっき方法」,めっきを記述する3因子として均一電着性(スローイングパワー),レベリング,および微視的均一電着性(マイクロスローイングパワー)など,3)超臨界ナノプレーティング:SNPの各工程と高圧可視セルによる二酸化炭素エマルションの様子(セット,エマルション化,めっき),従来めっきおよびSNPによるNi表面の光学顕微鏡観察,SNPの反応モデルなど,4)半導体配線技術への応用:半導体基板へのSNP方法を応用する実験図,M-SNP(金属ナノ粒子を活用した改良型SNP)法による直径60nmホール・深さ120nmへの半導体埋め込み配線の透過型電子顕微鏡写真,M-SNP法による直径70nm・深さ350nmホールへの半導体埋め込み配線の走査型電子顕微鏡写真など。

シソーラス用語： *めっき ,  *超臨界流体 ,  *二酸化炭素 ,  *プリント配線 ,  ナノ粒子 ,  集積回路 ,  *精密加工 ,  電着 ,  ナノ構造 ,  表面処理 ,  銅 ,  均一電着性 ,  MEMS ,  欠陥
準シソーラス用語： 欠陥分析 ,  *集積回路配線

分類 (2件)： めっき一般  (WC08021T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (12件)：

• 1) 近藤英一編著:半導体・MEMSのための超臨界流体,コロナ社,(2012).
• 2) 阿尻雅文監修:超臨界流体とナノテクノロジー,シーエムシー出版,(2010).
• 3) 斉藤囲,本間英夫,山下嗣人,小岩一郎共著:入門めっき技術,工業調査会,(2007).
• 4) 丸山清,毛利秀明著:めっき用語辞典,日刊工業新聞社,(1994).
• 5) M. Sone and S. Miyata : Supercritical Nano Plating System, Material Chemistry in Supercritical Fluids (edited by H. Wakayama) Research Signpost, Chapter 2 (2005) 9-22.

タイトルに関連する用語 (7件)： めっき技術 ,  未来 ,  超臨界 ,  プレーティング法 ,  開発 ,  微細配線 ,  応用