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J-GLOBAL ID：201202251865714785   整理番号：12A0460806

エネルギーフィルタをかけたナノビーム電子回折による歪解析の確度と精度の改良

Improving Accuracy and Precision of Strain Analysis by Energy-Filtered Nanobeam Electron Diffraction

著者 (7件)： HAEHNEL Angelika (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle(Saale), DEU) ,  REICHE Manfred (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle(Saale), DEU) ,  MOUTANABBIR Oussama (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle(Saale), DEU) ,  BLUMTRITT Horst (Max Planck Inst. Microstructure Physics, Halle(Saale), DEU) ,  GEISLER Holm (Global Foundries Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU) ,  HOENTSCHEL Jan (Global Foundries Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU) ,  ENGELMANN Hans-Juergen (Global Foundries Dresden Module One LLC & Co. KG, Dresden, DEU)
資料名： Microscopy and Microanalysis  (Microscopy and Microanalysis)
巻： 18  号： 1  ページ： 229-240  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W1587A  ISSN： 1431-9276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンナノ構造中およびナノビーム電子回折(NBED)を用いる装置の歪解析における不確かさがある。モデルシステムとして歪んだシリコンオンインシュレータ(SOI)を用いて解析し,無損失フィルタによって回折パターンの拡散した背景を抑えてNBEDの確度を大幅に改良した。対称バイアスを合わせて用い,600nmの厚いサンプル段に対しNBEDの不確かさに近い全偏差4×10^-4まで向上した。

シソーラス用語： *電子回折 ,  *SOI構造 ,  フィルタ ,  不確実性 ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  *歪 ,  解析
準シソーラス用語： エネルギーフィルタ ,  ナノ電子線回折 ,  測定の不確かさ ,  歪シリコン ,  *歪解析

分類 (2件)： 電子回折法  (BK01030T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： エネルギーフィルタ ,  ナノビーム ,  電子回折 ,  歪解析 ,  確度