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J-GLOBAL ID：201202251985803382   整理番号：12A0256754

走査型マイクロ波顕微鏡法を使うキャリブレートされたナノスケールドーパントプロファイリング

Calibrated nanoscale dopant profiling using a scanning microwave microscope

著者 (14件)： HUBER H. P. (Univ. of Linz, Christian Doppler Lab. for Nanoscopic Methods in Biophysics, Altenbergerstrasse 69, 4040 Linz, AUT) ,  HUMER I. (Technical Univ. of Vienna, Inst. for Solid State Electronics, 1040 Vienna, AUT) ,  HOCHLEITNER M. (Univ. of Linz, Christian Doppler Lab. for Nanoscopic Methods in Biophysics, Altenbergerstrasse 69, 4040 Linz, AUT) ,  FENNER M. (Agilent Technologies, Inc., 5301 Stevens Creek Blvd., Santa Clara, California 95051, USA) ,  MOERTELMAIER M. (Agilent Technologies, Inc., 5301 Stevens Creek Blvd., Santa Clara, California 95051, USA) ,  RANKL C. (Agilent Technologies, Inc., 5301 Stevens Creek Blvd., Santa Clara, California 95051, USA) ,  IMTIAZ A. (National Inst. for Standards and Technol., Electromagnetic Div., 325 Broadway, Boulder, Colorado 80305-3337, USA) ,  WALLIS T. M. (National Inst. for Standards and Technol., Electromagnetic Div., 325 Broadway, Boulder, Colorado 80305-3337, USA) ,  TANBAKUCHI H. (Agilent Technologies, Inc., 5301 Stevens Creek Blvd., Santa Clara, California 95051, USA) ,  HINTERDORFER P. (Univ. of Linz, Christian Doppler Lab. for Nanoscopic Methods in Biophysics, Altenbergerstrasse 69, 4040 Linz, AUT) ,  KABOS P. (National Inst. for Standards and Technol., Electromagnetic Div., 325 Broadway, Boulder, Colorado 80305-3337, USA) ,  SMOLINER J. (Technical Univ. of Vienna, Inst. for Solid State Electronics, 1040 Vienna, AUT) ,  KOPANSKI J. J. (National Inst. of Standards and Technol., Semiconductor Measurements Div., Gaithersburg, Maryland 20899-8120, USA) ,  KIENBERGER F. (Agilent Technologies, Inc., 5301 Stevens Creek Blvd., Santa Clara, California 95051, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 1  ページ： 014301  発行年： 2012年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型マイクロ波顕微鏡がキャリブレートされたキャパシタンススペクトロスコピーと空間分解ドーパントプロファイリング測定用に使用された。これは1~20GHz間で動作するベクトルネットワークアナライザと結びつけられた原子間力顕微鏡から構成されている。10¹⁵から10²⁰atoms/cm³にわたるドーピング濃度を持つシリコン半導体キャリブレート試料において,キャリブレートされた容量-電圧曲線とその微分dC/dV曲線が得られた。容量の変化とdC/dV信号は定量的ドーパントプロファイリングを与えるドーパント濃度に直接関連づけられる。この方法は判っているドーパント濃度の各種試料について試験され,そして絶対精度は大きさ程度内にあるがドーパントプロファイリングの分解能は20%に決められた。モデリング法を使い,キャリブレート精度の改良を与えるチップ径と酸化物厚変化に関連してドーパントプロファイリング曲線が分析された。バイポーラ試料が調べられ,そして半導体デバイス機能と故障解析の研究用にナノスケール欠陥構造とp-n接合界面が可能な応用を示している事をイメージした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 顕微鏡観察 ,  *原子間力顕微鏡 ,  ベクトル解析 ,  *不純物分布 ,  ドーパント ,  容量電圧特性 ,  空間分解能 ,  キャリブレーション ,  マイクロ波
準シソーラス用語： *ドーピングプロファイル ,  ナノスケール ,  *走査型マイクロ波顕微鏡 ,  ベクトルネットワークアナライザ

分類 (1件)： 顕微鏡法  (BK01040E)

タイトルに関連する用語 (1件)： 走査型マイクロ波顕微鏡