文献

J-GLOBAL ID：201202252186979393   整理番号：12A0960533

極薄EUVレジストのその場分解分析

In situ Dissolution Analysis of Ultrathin Extreme Ultraviolet Resists

著者 (2件)： SANTILLAN Julius J. (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN) ,  ITANI Toshiro (EUVL Infrastructure Dev. Center, Inc. (EIDEC), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FC06.1-06FC06.6  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 20nmハーフピッチラインスペースパターンを越える分解能力に達するEUVレジストによって,いくつかある特徴の中で特に,分解能制限パターン崩壊と線幅粗さにおける潜在的問題を補償するための極薄レジスト(膜厚60nm未満)の適用に一つの傾向が明らかになった。従って,これらの極限条件でのレジストのパターン機構についての明確な理解が必要である。本論は,液体中でその場高速原子間力顕微鏡を用いて分解中の極薄膜の様々なEUVレジストプラットフォームのパターン形成特性に集中した。結果として,レジストプラットフォームにかかわらず,極薄条件で「分解クラスタ」サイズが減少することを観察した。極薄レジスト膜についてのそのような基本情報は,より高い分解能限界と最小線幅粗さを達成するEUVレジストの可能性をさらに拡大するために可能な指針を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 超薄膜 ,  *分解 ,  *フォトレジスト ,  線 ,  分解能 ,  崩壊 ,  表面粗さ ,  膜厚 ,  液体 ,  原子間力顕微鏡 ,  パターン形成
準シソーラス用語： *EUVレジスト ,  クラスタサイズ ,  スペース ,  その場反応 ,  パターン ,  高速原子間力顕微鏡 ,  線幅粗さ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  分解反応  (CF02080P)

引用文献 (31件)：

• 1) T. Itani, H. Iwasaki, M. Fujimoto, and K. Kasama: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 7005.
• 2) T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2541.
• 3) T. Itani, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: Microelectron. Eng. 41-42 (1998) 363.
• 4) T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, M. Miyasaka, and H. Tanabe: J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3726.
• 5) A. Agrawal and C. L. Henderson: Proc. SINE 5038 (2003) 1026.

タイトルに関連する用語 (2件)： EUVレジスト ,  分解分析