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J-GLOBAL ID：201202252375388053   整理番号：12A1053349

素子性能及び信頼性増倍のための超薄ポリ(4-ビニルフェノール)層によるグラフェン上への高k誘電体のシーディング原子層堆積

Seeding atomic layer deposition of high-k dielectric on graphene with ultrathin poly(4-vinylphenol) layer for enhanced device performance and reliability

著者 (4件)： CHEOL SHIN Woo (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  YONG KIM Taek (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  SUL Onejae (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...) ,  JIN CHO Byung (Dep. of Electrical Engineering, Korea Advanced Inst. of Sci. and Technol., 373-1 Guseong-dong, Yuseong-gu, Daejeon ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 3  ページ： 033507-033507-4  発行年： 2012年07月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄ポリ(4-ビニルフェノール)(PVP)が,化学蒸着(CVD)により作製した大規模グラフェン上への高k誘電体の原子層堆積(ALD)に関する有効な有機シーディング層として作用することを実証した。同一のALD条件は,CVDグラフェン上に不完全で粗い誘電体堆積を与えたが,PVPシーディング層により与えられる反応基は,大規模グラフェン全体を通して共形でピンホールフリーの誘電体膜を生じた。高品質PVPシーディングAl₂O₃ゲート誘電体で作製したトップゲートグラフェン電界効果トランジスタは,グラフェンナノエレクトロニクスに望ましい優れたキャリア移動度及び信頼性性能の向上を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,  *ポリビニルフェノール ,  超薄膜 ,  核形成 ,  化学蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  ピンホール ,  表面粗さ ,  FET【トランジスタ】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  *シーディング ,  原子層堆積 ,  トップゲート型

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 層 ,  グラフェン ,  高k誘電体 ,  シーディング ,  原子層堆積