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J-GLOBAL ID：201202252408133307   整理番号：12A1074186

MBE成長半導体マルチレイヤーにおける大いに再現できるトンネル電流

Highly reproducible tunnel currents in MBE-grown semiconductor multilayers

著者 (5件)： SHAO C. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  DASMAHAPATRA P. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  SEXTON J. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  MISSOUS M. (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  KELLY M. J. (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 48  号： 13  ページ： 792-794  発行年： 2012年06月21日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 筆者らはトンネルデバイスを作製する試みにおいて,以前に達成されなかった正確さと再現性のレベルを達成した。非対称なドーピングプロファイルを有するGaAsマルチレイヤー構造におけるAlAsの単一トンネル障壁に関して,詳細にわたる注意深い関心により,3枚の分離したウエハ上の対応する側からダイオードが作製できることが示された。この再現性のレベルは,今やこれらのデバイスが,低価格ハイブリッド集積化マイクロ波回路の製造のための,ピックアンプレーシステムに用いられることを可能にする。

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *多層構造 ,  電流 ,  *ポテンシャル障壁 ,  *トンネル効果 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化アルミニウム ,  *マイクロ波集積回路 ,  混成集積回路 ,  ウエハ【IC】
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  トンネル障壁

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： MBE成長 ,  マルチレイヤー ,  トンネル電流