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J-GLOBAL ID：201202252544855189   整理番号：12A0413918

レーザ分子ビームエピタクシーにより堆積した立方晶AlN膜の構造,光学,および電気特性

Structural, optical and electrical properties of cubic AlN films deposited by laser molecular beam epitaxy

著者 (5件)： FU Yuechun (Guangxi Univ., Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metals, Ministry of Education, Coll. ...) ,  LI Xuefei (Guangxi Univ., Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metals, Ministry of Education, Coll. ...) ,  WANG Yunyun (Guangxi Univ., Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metals, Ministry of Education, Coll. ...) ,  HE Huan (Guangxi Univ., Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metals, Ministry of Education, Coll. ...) ,  SHEN Xiaoming (Guangxi Univ., Key Lab. of New Processing Technol. for Materials and Nonferrous Metals, Ministry of Education, Coll. ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 106  号： 4  ページ： 937-940  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶AlN膜をレーザ分子ビームエピタクシー(LMBE)法でTiNバッファSi(100)基板上に首尾よく堆積し,それらの結晶構造と電気および光学特性を研究した。その結果,立方晶AlN膜は(200)優先配向したNaCl型構造であり,その格子定数は0.4027nmであることが明らかになった。立方晶AlN膜のFTIRパターンは668cm^-1と951cm^-1に鋭い吸収ピークを示し,それらは横と縦の光学振動モードに対応していた。偏光解析測定から,可視領域における1.66~1.71の屈折率とほぼゼロの消衰係数の証拠を得た。MISデバイスの容量電圧曲線において,誘電率8.1と,膜中に多数の電荷トラップの存在を示すヒステリシスが観測された。Copyright 2011 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 立方晶系 ,  *窒化アルミニウム ,  *MBE成長 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  優先配向 ,  格子定数 ,  *赤外吸収スペクトル ,  振動モード ,  屈折率 ,  係数 ,  *光学定数 ,  *MIS構造 ,  容量電圧特性 ,  誘電率 ,  ヒステリシス ,  キャリア捕獲 ,  岩塩型結晶 ,  偏光解析法
準シソーラス用語： *FTIRスペクトル ,  *レーザMBE ,  消衰係数

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： レーザ ,  分子ビームエピタクシー ,  堆積 ,  立方晶 ,  AlN ,  光学 ,  電気特性