文献

J-GLOBAL ID：201202252547048772   整理番号：12A1763672

Siドープ(Al)GaNエピタキシャル層中の歪と欠陥

Strain and defects in Si-doped (Al)GaN epitaxial layers

著者 (7件)： FORGHANI Kamran (Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU) ,  SCHADE Lukas (Fraunhofer Inst. for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  SCHWARZ Ulrich T. (Fraunhofer Inst. for Applied Solid State Physics, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, DEU) ,  LIPSKI Frank (Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU) ,  KLEIN Oliver (Central Facility of Electron Microscopy, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU) ,  KAISER Ute (Central Facility of Electron Microscopy, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU) ,  SCHOLZ Ferdinand (Inst. of Optoelectronics, Ulm Univ., Albert-Einstein-Allee 45, 89081 Ulm, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 093102-093102-9  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siは(Al)GaNベース素子にとって最も普通のドーパントでドナーとして振舞う。Siは(Al)GaN膜中で引張歪を誘起し,Siおよび/またはAl含有量が増すと膜に亀裂が生じる。X線回折に基づき,Siドープ膜はドープしていないバッファ層との比較で面内格子定数が大きく,合金効果から期待される格子定数の変化の以外の機構の関与を示している。この論文ではSi転位相互作用に関するモデルを示すが,文献中の他の機構モデルについても論じる。このモデルではSi原子は(Al)GaN膜中の刃状転位の歪双極子に引きつけられる。Siは圧縮されている側の転位の側面により引きつけられると予想できるので,その結果として圧縮要素が減少したバランスが崩れた双極子が生じることになる。この種のバランスが崩れた双極子(引張が支配的な歪双極子として現れるが)への応答として,転位線は過剰な引張歪を取り込むために上昇する。しかし,この転位上昇機構は上昇過程の結果として生じた空格子点が及ぼす力で妨げられる。その結果として,Siドープ層はそれが含む転位が少なければそこで観測にかかる歪レベルは低い。この知見はさらにX線回折,透過型電子顕微鏡とマイクロ光ルミネセンス研究で支持された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドーパント ,  *ケイ素 ,  ドナー ,  X線回折 ,  亀裂 ,  格子定数 ,  相互作用 ,  *格子歪 ,  *空格子点 ,  *刃状転位 ,  合金 ,  *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  ドーピング ,  双極子 ,  光ルミネセンス ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 転位相互作用 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  引張歪 ,  マイクロ光ルミネセンス

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドープ ,  Al ,  GaN ,  エピタキシャル層 ,  歪 ,  欠陥