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J-GLOBAL ID：201202252602076349   整理番号：12A1466445

高k p-MOSFETsの負バイアス温度ストレス下でのスイッチング正孔トラップの永久バルクトラップへの変換の証拠

Evidence for the Transformation of Switching Hole Traps into Permanent Bulk Traps under Negative-Bias Temperature Stressing of High-κ P-MOSFETs

著者 (4件)： GAO Y. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ANG D.S. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  YOUNG C.D. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  BERSUKER G. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 437-441  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 成長したままの欠陥とHfO₂とHfSiONゲート誘電体を使用する電気ストレスから生じる欠陥との間の関係を調べた。新しいバルクトラップ生成のほとんど見られないことを示し,負バイアス温度不安定性(NBTI)劣化は低温度(30°C)で界面欠陥生成により主に確定されることを示した。高い温度では,V_tに関与する成長したままの欠陥は最終的に永久バルクトラップに放出され,ストレス誘起漏れ電流(SILC)と1/f雑音スペクトル密度とを引き起こすことになった。

シソーラス用語： 誘電率 ,  *MOSFET ,  ストレス ,  熱安定性 ,  信頼性 ,  キャリア捕獲 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： 高誘電率 ,  *pMOSFET ,  温度ストレス ,  負バイアス温度不安定性 ,  正孔トラップ ,  バルクトラップ ,  スイッチング正孔トラップ ,  ストレス誘起漏れ電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  温度ストレス ,  スイッチング ,  正孔トラップ ,  永久 ,  バルク ,  トラップ ,  証拠