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J-GLOBAL ID：201202252605055784   整理番号：12A1405417

パリレンC膜の構造と形態と誘電性と電気的性質への膜厚の効果

Effect of film thickness on structural, morphology, dielectric and electrical properties of parylene C films

著者 (1件)： KAHOULI Abdelkader (Grenoble Electrical Engineering Lab. (G2ELab), Joseph Fourier Univ. (UJF), CNRS, 25 Rue des Martyrs, BP 166, 38042 ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 6  ページ： 064103-064103-7  発行年： 2012年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パリレンC(C₈H₇Cl)_n)膜を蒸着重合法で室温においてp型Si基板上にSi(100)指数に沿い堆積させた。パリレンC膜の構造,形態,誘電性と電気的性質への膜厚の効果を調べた。X線回折により薄い方の膜(d<40nm≒R_g:回転半径)では非晶質構造であり,より厚い膜(d>40nm)では半結晶構造であることを確認した。表面粗さの膜厚依存性はべき乗則R_ms~d^β,β=0.22±0.05に従った。d<40nmでは拡散単量体と体積内の鎖緩和が表面粗さがの増大を抑える主要な因子でありd>40nmでは結晶粒径効果であるが,それは膜が厚くなるに従い表面エネルギーの最小化が効くからである。誘電率はd<1000nmではべき乗則ε′=d^βに従ったがβ=0.042±0.04,d>1000nmでは0.0138±0.02であった。これは膜厚の増加と共にボイドと材質の不連続性が減ったことが原因であると解釈した。漏れ電流密度Jは,膜厚が減り,特により顕著なな非晶質含有量に対応するd<1000nmとなると急に増大したが,D>10000nmでは実質的に厚さに依らず,印加電圧20MV/mでは約4×10^-8A/mであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ポリキシリレン ,  *塩素化重合体 ,  *構造 ,  *形態 ,  *誘電性 ,  *電気的性質 ,  蒸着重合 ,  X線回折 ,  ウエハ【IC】 ,  準結晶 ,  *表面粗さ ,  依存性 ,  単量体 ,  結晶粒 ,  表面エネルギー ,  誘電率 ,  電流密度 ,  *膜厚
準シソーラス用語： シリコン基板 ,  *パリレンC ,  非晶質構造 ,  膜厚依存性 ,  漏れ電流密度

分類 (3件)： 有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  誘電体一般  (BM05010F) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

タイトルに関連する用語 (5件)： パリレンC ,  形態 ,  誘電性 ,  電気的性質 ,  膜厚