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J-GLOBAL ID：201202252712871926   整理番号：12A1382685

反応性インプリントリソグラフィを介してのグラフェン電子移動化学への基板効果の理解と制御

Understanding and controlling the substrate effect on graphene electron-transfer chemistry via reactivity imprint lithography

著者 (13件)： WANG Qing Hua (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  JIN Zhong (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  KIM Ki Kang (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  HILMER Andrew J. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  PAULUS Geraldine L.C. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  SHIH Chih-Jen (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  HAM Moon-Ho (Gwangju Inst. Sci. and Technol., Gwangju, KOR) ,  SANCHEZ-YAMAGISHI Javier D. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  WATANABE Kenji (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  KONG Jing (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  JARILLO-HERRERO Pablo (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  STRANO Michael S. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nature Chemistry  (Nature Chemistry)
巻： 4  号： 9  ページ： 724-732  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： W2267A  ISSN： 1755-4330  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは単一原子層から成る為に下地基板の影響を強く受ける。ここではSiO₂,Al₂O₃,オクタデシルトリクロロシランで表面修飾したSiO₂,及び六方晶窒化ホウ素の表面上に,別途,銅箔上にCVD法で調製した単層グラフェン膜を転写法で設置し,この各種基板上のグラフェン表面と4-ニトロベンゼンジアゾニウムとの反応をラマン分光法法で調べた。SiO₂,Al₂O₃基板では急速な反応が進行するのに対して,表面処理及び窒化ホウ素基板では殆ど反応が進行しない。これについて基板誘起による電子-正孔パドルに基づく反応モデルを検討した。また基板をパターニングすることによりグラフェンの化学反応の空間的なパターニングを実現し,バイオセンサーへの応用の可能性を提示した。

シソーラス用語： *グラファイト ,  *表面改質 ,  材料 ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  *反応制御 ,  窒化ホウ素 ,  酸化アルミニウム ,  二酸化ケイ素 ,  グラフト化【化学修飾】
準シソーラス用語： *インプリントリソグラフィー ,  グラフト化 ,  *基板材料 ,  *単層グラフェン

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

物質索引 (2件)： 4-ニトロベンゼンジアゾニウム ,  オクタデシルトリクロロシラン

タイトルに関連する用語 (7件)： 反応性 ,  インプリントリソグラフィ ,  グラフェン ,  電子移動 ,  化学 ,  基板効果 ,  理解