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J-GLOBAL ID：201202252726314493   整理番号：12A1007817

非常に薄いN極性を持つGaN量子井戸チャネルにおける界面の粗さによる散乱

Interface roughness scattering in ultra-thin N-polar GaN quantum well channels

著者 (3件)： SINGISETTI Uttam (Electrical Engineering Dep., Univ. at Buffalo, Buffalo, New York 14260, USA) ,  HOI WONG Man (SEMATECH Inc., Austin, Texas 78741, USA) ,  MISHRA Umesh K. (ECE Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 1  ページ： 012101-012101-4  発行年： 2012年07月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,N極性を持つGaNから成る量子井戸チャネルにおける低電場移動度に対するチャネルの厚さの効果を,実験および理論の両面から研究した結果を報告する。Hall移動度データの温度依存性および移動度の数値モデル化から,チャネルの厚さが薄くなった場合,界面の粗さが低電場移動度を決定する強い因子となることが判明した。ここで研究した傾斜したAlGaNの背面障壁を持つN極性のGaN電界効果トランジスタ構造において,電子は界面の粗さによって厚さが3.5nmのチャネル域に局在し,結果として移動度は非常に小さくなることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 極性 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  チャネル ,  表面粗さ ,  *キャリア散乱 ,  厚み ,  *キャリア移動度 ,  モデリング ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  ヘテロ接合 ,  *FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： 界面粗さ ,  窒化ガリウムアルミニウム

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 極性 ,  GaN ,  量子井戸 ,  チャネル ,  界面 ,  粗さ ,  散乱