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J-GLOBAL ID：201202252755366630   整理番号：12A1154447

Ag/ZnFe₂O₄/Ptメモリ素子における二極性及び三状態単極性抵抗スイッチング挙動

Bipolar and tri-state unipolar resistive switching behaviors in Ag/ZnFe₂O₄/Pt memory devices

著者 (6件)： HU Wei (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  CHEN Xinman (Inst. of Opto-Electronic Materials and Technol., South China Normal Univ., Guangzhou 510631, CHN) ,  WU Guangheng (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  LIN Yanting (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  QIN Ni (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...) ,  BAO Dinghua (State Key Lab. of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Physics and Engineering, Sun Yat-Sen Univ. ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 6  ページ： 063501-063501-4  発行年： 2012年08月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnFe₂O₄層を化学溶液堆積法により作製した,Ag/ZnFe₂O₄/Pt構造における二極性及び単極性抵抗スイッチング挙動の共存について報告した。メモリ素子は,再現性ある安定な二極性抵抗スイッチング,負印加バイアス電圧下のみでの三状態単極性抵抗スイッチング,及び異なる電鋳条件による二極性抵抗スイッチングから移行した単極性抵抗スイッチングを示した。単極性抵抗スイッチング及び二極性抵抗スイッチングの双方における優れたスイッチングサイクルを実証した。導電性フィラメントモデルに基づいて,電気化学メタライゼーション効果を提案し,二極性抵抗スイッチング挙動を説明し,単極性抵抗スイッチング挙動を,電気化学メタライゼーション効果及び熱化学効果に帰着した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  *亜鉛化合物 ,  *鉄酸塩 ,  溶液成長 ,  *銀 ,  *白金 ,  極性 ,  繰返し試験 ,  メタライゼーション ,  効果
準シソーラス用語： *抵抗スイッチングメモリ ,  化学溶液堆積法 ,  *二極性 ,  *単極性 ,  導電性フィラメント ,  電気化学メタライゼーション ,  熱化学効果

分類 (4件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  Pt ,  メモリ素子 ,  単極性 ,  抵抗スイッチング ,  挙動