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J-GLOBAL ID：201202252849664219   整理番号：12A1451765

高度YbドープPbSe_0.2Te_0.8薄膜の異方性ナノ構造性能による電気輸送の増強

Enhancement of electrical transport through the anisotropic nanostructure performance of heavily Yb-doped PbSe_0.2Te_0.8 thin films

著者 (3件)： HMOOD A. (School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia) ,  KADHIM A. (School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia) ,  ABU HASSAN H. (School of Physics, Universiti Sains Malaysia, 11800 Minden, Penang, Malaysia)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 136  号： 2-3  ページ： 1148-1155  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 固相マイクロ波支援プラズマ技法を用いて出発成分から高純度Pb_1-xYb_xSe_0.2Te_0.8を合成して大きな結晶粒を有する多結晶インゴットを得た。次に真空中の熱蒸着を用いてPb_1-xYb_xSe_0.2Te_0.8薄膜をガラス基板に蒸着した。膜は多結晶岩塩型(NaCl)構造であった。X線回折(XRD)パターンから得た粉体および薄膜の結晶格子パラメータによると格子パラメータの値はYb含有率の増加とともに増加した。電界放出型走査電子顕微鏡法による像によればPb_1-xYb_xSe_0.2Te_0.8薄膜は均一な結晶粒サイズおよび高密度ナノ構造体を有していた。薄膜の電気輸送特性を298K~523Kの温度範囲で測定した。膜のSeebeck係数はxが0.015~0.045の範囲のときxとともに増加したが,xが0.06から0.105の間の範囲では減少した。キャリア濃度はx=0.015では4.3×10¹⁷cm^-3であり,最大値はx=0.075での6.34×10¹⁷cm^-3であった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *セレン化物 ,  *鉛化合物 ,  ドーピング ,  *イッテルビウム化合物 ,  薄膜 ,  ナノ構造 ,  異方性 ,  エレクトロトランスポート
準シソーラス用語： 電気輸送

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高度 ,  Yb ,  ドープ ,  薄膜 ,  異方性 ,  構造性能 ,  電気輸送 ,  増強