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J-GLOBAL ID：201202252929964388   整理番号：12A1327960

欠陥光ルミネセンスの熱焼鈍及びa-Si:Hにおける電子正孔対の再結合速度

Thermal quenching of defect photoluminescence and recombination rates of electron-hole pairs in a-Si:H

著者 (4件)： OGIHARA C. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  INAGAKI Y. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  TAKETA A. (Dep. of Applied Sci., Yamaguchi Univ., Ube 755-8611, JPN) ,  MORIGAKI K. (Dep. of Electrical and Digital-System Engineering, Hiroshima Inst. of Technol., Miyake, Saeki-ku, Hiroshima 731-5193 ...)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2004-2006  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス光照射後のa-Si:Hに対して,振動分光法(FRS)を用いた実験から推定した特徴的な寿命により欠陥光ルミネセンス(PL)と相反する非放射再結合速度の温度変動が得られた。非放射再結合速度が活性化型の温度依存性を持ち,放射再結合速度は温度に依存しないとするa-Si:HのPL熱焼鈍に対する従来の説明は,欠陥PLの実験結果の説明に対しては不適当であった。欠陥PLの非放射再結合速度の温度変動は強い電子/フォノン結合の場合に対するEnglman及びJortnerの理論により良好に記述することができた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  *電子正孔対 ,  *再結合 ,  *アモルファスシリコン ,  *水素化物 ,  RTA【熱処理】 ,  化学蒸着 ,  *太陽電池 ,  *半導体薄膜 ,  振動分光法 ,  *格子欠陥 ,  光パルス ,  温度変動 ,  温度依存性 ,  電子-フォノン相互作用
準シソーラス用語： 再結合速度 ,  電子-フォノン結合 ,  非放射再結合 ,  放射再結合

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 欠陥 ,  光ルミネセンス ,  焼鈍 ,  Si ,  電子正孔対 ,  再結合速度