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J-GLOBAL ID：201202253006809297   整理番号：12A0580761

低周波雑音分光法を用いたGaN HEMTのRF信頼性に関する研究

Study of RF Reliability of GaN HEMTs Using Low-Frequency Noise Spectroscopy

著者 (2件)： RAO Hemant P. (Univ. Florida, FL, USA) ,  BOSMAN Gijs (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 12  号： 1  ページ： 31-36  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上のGaN高電子移動度トランジスタに対して3GHzで印加する連続波短期RFストレスの結果を明らかにする。3dBから8dBの利得飽和のRFオーバードライブ条件におけるデバイス特性の劣化を議論する。出力RFパワーは短期間において急激に劣化する。デバイス電子特性の過渡,及び,永続劣化を区別した。高RF利得圧縮レベル後においては,しきい値電圧(V_T),及び,ゲート漏れ電流のようなDC特性は永続的に変化した。ストレス前後におけるゲート及びドレイン電流の低周波雑音測定を同時に行うことによって,デバイス電子構造の詳細な微視的変化を研究した。チャネルは全ストレスレジームに対して影響を受けないことが分かり,Hoogeパラメータは増加しなかった。他方,不安定な欠陥の活性化,従って,ゲート金属半導体界面近傍の欠陥密度増加がゲート雑音測定から分かった。ランダムテレグラフノイズ測定からゲート金属半導体界面から4.5nm程度に位置しAlGaN伝導帯端下の0.9eVの活性化エネルギーを持つ点欠陥を決定した。故障機構としての正方向ゲートバイアスの役割も議論した。

シソーラス用語： *HEMT ,  窒化ガリウム ,  *信頼性 ,  電流電圧特性 ,  周波数依存性 ,  漏れ電流 ,  光学的測定 ,  マイクロ波トランジスタ
準シソーラス用語： GaN ,  GaN HEMT ,  ゲート漏れ電流 ,  ランダムテレグラフノイズ ,  信頼性評価

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低周波雑音 ,  分光法 ,  GaN ,  HEMT ,  RF ,  研究