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J-GLOBAL ID：201202253020258996   整理番号：12A0593535

RFアシストDCマグネトロンスパッタリングによる酸化インジウムスズ薄膜の特性評価

Characterization of indium tin oxide films by RF-assisted DC magnetron sputtering

著者 (3件)： HOUNG Boen (Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung City 840, Taiwan, TWN) ,  WANG Adam (Dep. of Materials Sci. and Engineering, I-Shou Univ., Kaohsiung City 840, Taiwan, TWN) ,  WANG Adam (Emerging Display Technologies Corp., Kaohsiung City 811, Taiwan, TWN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 15  ページ： 5593-5598  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 独特の設計のRF(高周波)アシストDC(直流)スパッターを用いてPET(ポリエチレンテレフタレート)基板上にITO(酸化インジウムスズ)薄膜を堆積した。薄膜の性質に及ぼす全パワーの異なるRF割合と酸素ガス流の効果を研究した。全パワーの印加RF割合が増えると共に薄膜はより稠密になることが見出された。これは衝突イオンが薄膜での吸着原子の拡散を増大することによるより高い運動量エネルギー輸送による。こうして,より大きなグレインとより小さな多孔性の微細構造が全パワーのより高いRF割合で堆積された薄膜中に存在する。しかしながら,100%RFパワーで作製された薄膜ではより粗な表面モルフォロジーとわずかな結晶化も見られた。全パワーの50%RF割合に調節することによって,電気抵抗率は5.4×10^-4Ωcmの最小値に達し,それに付随してキャリア濃度と易動度はそれぞれ7.0×10²⁰cm^-3と17.4²V^-1s^-1であった。加えて,スパッタリングチェンバー内の酸素ガス濃度が薄膜の品質決定にキーとなる役割を果たしていることが見出された。酸素ガスが2sccmで流れた時,電気抵抗率は全パワーのRF割合が50%の時に3.9×10^-4Ωcmに減少した。結晶粒界散乱に基づいて電気伝導機構をグレインサイズの観点で薄膜の微細構造に関係付けた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  *透明導電膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *ポリエチレンテレフタレート ,  *電気抵抗率 ,  *キャリア密度 ,  フレキシブル基板 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング
準シソーラス用語： 酸素ガス ,  電力依存性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属の電子伝導一般  (BM03031E)

タイトルに関連する用語 (6件)： RF ,  アシスト ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  特性評価