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J-GLOBAL ID：201202253706914008   整理番号：12A1467061

Ar注入AlN/サファイア基板上に成長させた埋込空気ボイドを持つ窒化ガリウム系発光ダイオード

Gallium nitride-based light-emitting diodes with embedded air voids grown on Ar-implanted AlN/sapphire substrate

著者 (5件)： SHEU Jinn-kong (Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan) ,  TU Shang-ju (Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan) ,  YEH Yu-hsiang (Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan) ,  LEE Ming-lun (Dep. of Electro-Optical Engineering, Southern Taiwan Univ. of Sci. and Technol., Tainan County 71001, Taiwan) ,  LAI Wei-chih (Dep. of Photonics & Advanced Optoelectronic Technol. Center, National Cheng Kung Univ., Tainan City 70101, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 15  ページ： 151103-151103-4  発行年： 2012年10月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： RFスパッタリングで作製したex situ AlN核形成層を持つサファイア基板に成長させたGaN系発光ダイオードを調べた。Ar注入AlN/サファイア(AIAS)基板上に成長させたGaNに基づくエピタキシャル層は注入領域と無注入領域の格子定数の違いから選択成長とそれに続く横方向成長を示した。結果的に,GaN/AlN/サファイア界面の周囲の注入領域全体に空気ボイドが形成された。AIAS基板上のGaN層の成長機構を提唱し,空気ボイドを埋込んだLEDを特性化した。20mAの電流注入で,実験結果はAIAS基板上に成長させたLEDの光出力パワーが通常のLEDに比べて25%上昇したことを示した。この上昇はLEDの光取出し効率を高めるGaN/空気ボイド界面における光散乱に起因すると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  基板 ,  RFスパッタリング ,  *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  エピタクシー ,  *効率
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *光取出し効率

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ar ,  注入 ,  AlN ,  サファイア基板 ,  成長 ,  埋込 ,  ボイド ,  窒化ガリウム ,  発光ダイオード