HUANG S.-h. について
Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan について
LU T.-m. について
Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA について
LU S.-c. について
Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617 ... について
LEE C.-h. について
Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan について
LIU C. W. について
Graduate Inst. of Electronics Engineering, Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical ... について
TSUI D. C. について
Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA について
Applied Physics Letters について
ケイ化物 について
ゲルマニウム化合物 について
ケイ素 について
化合物半導体 について
半導体 について
ヘテロ接合 について
多層構造 について
格子歪 について
キャリア移動度 について
化学蒸着 について
基板 について
二次元電子ガス について
酸化アルミニウム について
誘電体薄膜 について
ゲート【半導体】 について
クロム について
金 について
濃度依存性 について
貫通転位 について
転位密度 について
ケイ化ゲルマニウム について
ホットウォールCVD について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
半導体と絶縁体の電気伝導一般 について
最適化 について
SiGe について
Si について
歪み について
移動度 について