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J-GLOBAL ID：201202253918407718   整理番号：12A1081022

最適化されたSiGe/Si/SiGe構造による歪みSiの移動度の増大

Mobility enhancement of strained Si by optimized SiGe/Si/SiGe structures

著者 (6件)： HUANG S.-h. (Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LU T.-m. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA) ,  LU S.-c. (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617 ...) ,  LEE C.-h. (Graduate Inst. of Electronics Engineering, Dep. of Electrical Engineering, National Taiwan Univ., Taipei 10617, Taiwan) ,  LIU C. W. (Graduate Inst. of Electronics Engineering, Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, Dep. of Electrical ...) ,  TSUI D. C. (Dep. of Electrical Engineering, Princeton Univ., New Jersey 08544, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 042111-042111-3  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホットウォール超高真空化学蒸着によって,p型Si基板上に550°Cでアンドープ-SiGe/歪みSi/SiGeから成る量子井戸を作製した。歪み-Siチャンネル内に二次元電子ガス(2DEG)を誘起するために,Al₂O₃およびCr/Au金属から成るゲート構造を作製し,正バイアスを印加した。15nmのSi井戸と526nmのSi_0.86Ge_0.14から成る障壁層によって形成される2DEGの0.3Kにおける移動度は,2×10⁶cm²/Vsに達し,この値は記録的に優れた値である。移動度を制限する主な因子は,バックグラウンド電荷によるCoulomb散乱と界面の粗さによる散乱である。更に,貫通転位による散乱もピーク移動度を決定する役割を持つ。SiGeの障壁層内および緩和バッファ層内におけるGe濃度の低下によって,貫通転位密度と粗さが減少し,結果としてSiチャンネル内における2DEGの移動度が増大することが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  多層構造 ,  格子歪 ,  *キャリア移動度 ,  化学蒸着 ,  基板 ,  *二次元電子ガス ,  酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  ゲート【半導体】 ,  クロム ,  金 ,  濃度依存性 ,  貫通転位 ,  転位密度
準シソーラス用語： *ケイ化ゲルマニウム ,  ホットウォールCVD

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 最適化 ,  SiGe ,  Si ,  歪み ,  移動度