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J-GLOBAL ID：201202254132205620   整理番号：12A0870950

低温多結晶シリコン薄膜トランジスタのダイナミックドレインストレスによる劣化メカニズムの解析

Analysis of Degradation Mechanisms in Low-Temperature Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under Dynamic Drain Stress

著者 (6件)： ZHANG Meng (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  ZHANG Meng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  WANG Mingxiang (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  LU Xiaowei (Soochow Univ., Suzhou, CHN) ,  WONG Man (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  KWOK Hoi-Sing (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 6  ページ： 1730-1737  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型およびn型LTPSTFTのドレインパルスに誘起される劣化を解析した。動作条件に近いストレス振幅でも,遷移時間依存ホットキャリア(HC)メカニズムが主な劣化メカニズムになっている。時間依存キャリア放出/再結合プロセスを含めて前稿の非平衡ドレイン接合劣化モデルを改訂した。n型TFTと異なり,p型TFTでは二段階劣化が認められる。初期段階電子捕獲の第二段階ダイナミックHCメカニズムに対する効果を考慮すると,n型とp型TFTの劣化は統合モデルで一貫して理解可能であり,n型TFTで第二段階劣化が無いことも説明できる。

シソーラス用語： ホットキャリア ,  ポリシリコン ,  多結晶 ,  低温生成 ,  *薄膜トランジスタ ,  ドレイン【半導体】 ,  機構 ,  ストレス
準シソーラス用語： LTPS【シリコン】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  *電流ストレス ,  *劣化機構

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ ,  メカニズム ,  解析