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J-GLOBAL ID：201202254366016014   整理番号：12A0684946

Cr厚さを変化させてプラズマ支援分子線エピタキシーによって調製したInNナノロッドの成長

Growth of InN nanorods prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy with varying Cr thicknesses

著者 (11件)： LIU K.w. (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  YOUNG S.j. (Dep. of Electronic Engineering, National Formosa Univ., Huwei, Yunlin 632, Taiwan) ,  CHANG S.j. (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  CHANG S.j. (Inst. of Microelectronics & Dep. of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced ...) ,  CHANG S.j. (Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  HSUEH T.h. (Inst. of Electro-Optical Sci. and Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  CHEN Y.z. (Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan) ,  CHEN K.j. (Inst. of Microelectronics & Dep. of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced ...) ,  HUNG H. (Inst. of Microelectronics & Dep. of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced ...) ,  WANG S.m. (Inst. of Microelectronics & Dep. of Electrical Engineering, Center for Micro/Nano Sci. and Technol., Advanced ...) ,  WU Y.l. (Inst. of Nanotechnology and Microsystems Engineering, National Cheng Kung Univ., Tainan 701, Taiwan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 347  号： 1  ページ： 113-118  発行年： 2012年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,Si基板上に堆積したCrの厚さが,窒化工程後にAlN緩衝層とInNナノロッドにどのように影響を与えるのかを調査した。原子間力顕微鏡法による結果から,Crのさまざまな厚さが,島状ナノCrNの大きさを変化させることが明らかになった。走査型電子顕微鏡法とX線回折の結果から,Cr堆積厚さ10nmが窒化工程後に島状ナノCrNをもたらし,InNのナノロッドの品質と密度を改善することが明らかになった。過度に厚いCr層は,多結晶性InNの成長を引き起こした。透過型電子顕微鏡法による結果は,野球用バット状のInNナノロッドの成長機構を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *窒化インジウム ,  *ナノロッド ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  クロム ,  金属薄膜 ,  *バッファ層 ,  窒化アルミニウム ,  原子間力顕微鏡 ,  クロム化合物 ,  窒化物 ,  島状構造 ,  膜厚

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cr ,  プラズマ ,  支援 ,  分子線エピタキシー ,  調製 ,  InN ,  ナノロッド ,  成長