DENG L. F. について
Univ. Hong Kong, HKG について
LIU Y. R. について
South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN について
CHOI H. W. について
Univ. Hong Kong, HKG について
CHE C. M. について
Univ. Hong Kong, HKG について
LAI P. T. について
Univ. Hong Kong, HKG について
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability について
誘電体 について
ハフニウム化合物 について
ランタン化合物 について
酸化物 について
誘電材料 について
FET【トランジスタ】 について
1/f雑音 について
フッ素化 について
窒化 について
薄膜トランジスタ について
酸化膜 について
キャリア移動度 について
プラズマ処理 について
電流電圧特性 について
ポリアセン について
ゲート絶縁膜 について
OTFT について
高k材料 について
有機トランジスタ について
トランジスタ について
フッ素 について
窒化 について
ゲート誘電体 について
ペンタセン について
OTFT について
性能改善 について