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J-GLOBAL ID：201202254388753462   整理番号：12A0929699

フッ素化と窒化を使ったHfLaOゲート誘電体によるペンタセンOTFTの性能改善

Improved Performance of Pentacene OTFTs With HfLaO Gate Dielectric by Using Fluorination and Nitridation

著者 (5件)： DENG L. F. (Univ. Hong Kong, HKG) ,  LIU Y. R. (South China Univ. Technol., Guangzhou, CHN) ,  CHOI H. W. (Univ. Hong Kong, HKG) ,  CHE C. M. (Univ. Hong Kong, HKG) ,  LAI P. T. (Univ. Hong Kong, HKG)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 12  号： 2  ページ： 520-528  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素化高k HfLaOをゲート絶縁膜として,ペンタセン有機薄膜トランジスタ(OTFT)を製作した。誘電体はスパッタリングで製作し,400°CでN₂またはNH₃中でアニールした。その後誘電体を時間を変えて(100,300,900秒)フッ素プラズマ処理をした。100秒プラズマ処理をした膜のキャリア移動度はプラズマ処理の無い膜よりも大きく,1/f雑音も良好である。性能改善は,プラズマによるフッ素の導入によって誘電体表面がパシベーションされたからである。しかし,プラズマ処理が長くなると(300,900秒),誘電体表面がプラズマで損傷され,キャリア移動度と1/f特性は低下する。HfLaOゲート絶縁膜上に成長させたペンタセン膜のモルフォロジは,いずれのアニーリングガスでもプラズマ100秒処理が他(300,900秒)よりも良好である。

シソーラス用語： 誘電体 ,  ハフニウム化合物 ,  ランタン化合物 ,  酸化物 ,  誘電材料 ,  FET【トランジスタ】 ,  1/f雑音 ,  *フッ素化 ,  *窒化 ,  薄膜トランジスタ ,  酸化膜 ,  キャリア移動度 ,  プラズマ処理 ,  電流電圧特性 ,  ポリアセン ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *OTFT ,  高k材料 ,  有機トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： フッ素 ,  窒化 ,  ゲート誘電体 ,  ペンタセン ,  OTFT ,  性能改善