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J-GLOBAL ID：201202255190397616   整理番号：12A1028293

抵抗スイッチングメモリに関する電気的に改変可能なシナプスアレイ

An electrically modifiable synapse array of resistive switching memory

著者 (10件)： CHOI Hyejung (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  JUNG Heesoo (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  LEE Joonmyoung (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  YOON Jaesik (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  PARK Jubong (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  SEONG Dong-jun (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  LEE Wootae (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  HASAN Musarrat (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  JUNG Gun-Young (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju) ,  HWANG Hyunsang (Gwangju Inst. of Sci. & Technol., Gwangju)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 20  号： 34  ページ： 345201 (5 PP.)  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,紫外ナノインプリンティングを用いて製造した,100nm×100nmの接合面積を有する交差点セルアレイ素子の抵抗スイッチングについて記した。Ptのトップおよびボトム電極を有するGdO_xおよびCuドープMoO_x積層が,抵抗スイッチング層(抵抗比が10より大きいアナログ記憶特性を示す)として作動した。ニューラルネットワーク回路を実証するため,著者らは,このセルを,改変可能なシナプスアレイ回路として作動させて,重み付き和演算を実行した。抵抗スイッチングメモリに基づいた交差点アレイに関するこの実証は,将来の大規模ニューラルネットワークシステムに対して,実行可能な超高密度シナプス回路への道を拓くことを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ギャップ結合 ,  シナプス ,  ニューラルネットワーク ,  *スイッチング ,  *記憶素子 ,  多層 ,  酸化ガドリニウム ,  酸化モリブデン ,  ドーピング ,  銅 ,  アレイ ,  白金 ,  *RAM【メモリ】 ,  押付成形
準シソーラス用語： RRAM ,  セルアレイ ,  ナノインプリンティング ,  *抵抗スイッチング ,  *抵抗メモリ ,  電気シナプス

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  改変 ,  シナプス ,  アレイ