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J-GLOBAL ID：201202255987126510   整理番号：12A0955573

MgドープしたGa_0.6Fe_1.4O₃薄膜の減少する漏れ電流と可能な電荷キャリア同調

Reduced leakage currents and possible charge carriers tuning in Mg-doped Ga_0.6Fe_1.4O₃ thin films

著者 (10件)： LEFEVRE C. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA) ,  SHIN R. H. (Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR) ,  LEE J. H. (Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR) ,  OH S. H. (Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR) ,  ROULLAND F. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA) ,  THOMASSON A. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA) ,  AUTISSIER E. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA) ,  MENY C. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA) ,  JO W. (Dep. of Physics, Ewha Womans Univ., Seoul 120-750, KOR) ,  VIART N. (Inst. of Physics and Chemistry of Materials of Strasbourg, UMR 7504 UDS-CNRS, Strasbourg 67034, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 26  ページ： 262904-262904-4  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_0.6Fe_1.4O₃は室温で非零磁場の磁気電気と予想される。しかし,薄膜の電気特性は強い漏れ電流で弱められている。この報告で,パルスレーザ堆積により成長させたGa_0.6Fe_1.4O₃薄膜へのMgドープは漏れ電流を四桁減少させて同時にキャリアの性質を調整できる。これらの結果は室温磁化,同調輸送特性,及び磁気電気特性を示す新たな材料を開発する可能性を示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *鉄酸塩 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  濃度依存性 ,  レーザ蒸着 ,  薄膜成長 ,  *磁気電気効果 ,  漏れ電流 ,  キャリア ,  同調 ,  格子定数
準シソーラス用語： 電荷キャリア

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Mg ,  ドープ ,  薄膜 ,  漏れ電流 ,  電荷キャリア ,  同調