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J-GLOBAL ID：201202256228872298   整理番号：12A0264310

GaAs基板上のGa_1-xIn_xAs_1-yN_y4元系半導性合金の構造と電子物性

Structural and electronic properties of Ga_1-x In _x As_1-y N _y quaternary semiconductor alloy on GaAs substrate

著者 (3件)： ASLAN Metin (Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR) ,  YALCIN Battal G. (Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR) ,  UESTUENDAG Mehmet (Sakarya Univ., Art, Sci. Fac., Dep. of Physics, Esentepe Campus, 54187 Sakarya, TUR)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 519  ページ： 55-59  発行年： 2012年04月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2元系(GaAs,GaN及びInAs),3元系(Ga_1-xIn_xAsとGaAs_1-yN_y)及び4元系(Ga_1-xIn_xAs_1-yN_y)半導性合金の構造と電子物性を第一原理擬ポテンシャル法を用いて調べた。これら材料の閃亜鉛鉱相の構造と電子物性を密度汎関数理論(DFT)の局所密度近似(LDA)を用いて計算した。GaInAsN4元系半導性合金の格子定数とバンドギャップエネルギーを得るため,三元系半導性合金即ちGaAsNとGaInAsの格子定数とバンドギャップエネルギーを別々に計算した。調べた半導体の計算した格子定数,体積弾性率及び直接バンドギャップは以前の理論的及び実験的研究と平行性を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *ヒ化物 ,  *多成分系 ,  *化合物半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  窒化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  物理的性質 ,  擬ポテンシャル法 ,  第一原理 ,  結晶構造 ,  閃亜鉛鉱型結晶 ,  密度汎関数法 ,  近似法 ,  格子定数 ,  バンドギャップ ,  圧縮率
準シソーラス用語： 局所密度近似 ,  *四成分系 ,  体積弾性率 ,  電子物性

分類 (3件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs基板 ,  半導性 ,  合金 ,  電子物性