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J-GLOBAL ID：201202256232677726   整理番号：12A0777738

絶縁体上の高フルエンスC注入ナノメータSiのRaman及びTEM評価

Raman and TEM characterization of high fluence C implanted nanometric Si on insulator

著者 (5件)： DOS REIS R.m.s. (Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA) ,  MALTEZ R.l. (Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA) ,  MOREIRA E.c. (Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, BRA) ,  DIAS Y.p. (Universidade Federal do Pampa - UNIPAMPA, Campus Bage, 96400-970, Bage, RS, BRA) ,  BOUDINOV H. (Instituto de Fisica, UFRGS, C.P. 15051, 91501-970, Porto Alegre, RS, BRA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 19  ページ： 7395-7400  発行年： 2012年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体上の高フルエンスC注入ナノメータシリコンのRaman及び透過電子顕微鏡(TEM)による評価を示した。分析した試料は,2.3×10¹⁷cm^-2及び4.0×10¹⁷cm^-2の炭素を注入して完全にSiC層に転換した35及び60nmのSiトップ層である。全面的にSiからSiCに転換したものに対して1250°Cアニール前後のRamanスペクトルからのC-C信号の挙動を報告した。顕著な影響がC信号の領域(1100~1700cm^-1)に観測された。Lorentz曲線あてはめの結果,異なった型のC-C結合の存在が明らかになった。この領域のRaman分光を使用してSiC構造の質を相対評価した。TEM測定は形成されたSiC層の直接評価によりRamanの解釈を支持した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *ケイ素 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  *炭化ケイ素 ,  Ramanスペクトル ,  透過型電子顕微鏡 ,  焼なまし ,  曲線 ,  C-C結合 ,  Lorentz型線形 ,  曲線あてはめ ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜成長

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁体 ,  フルエンス ,  注入 ,  ナノメータ ,  Si ,  TEM ,  評価