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J-GLOBAL ID：201202256321197983   整理番号：12A0341022

相変化マスク層を用いた半導体量子ドットの近赤外ナノ分光法

Near-infrared nano-spectroscopy of semiconductor quantum dots using a phase-change mask layer

著者 (6件)： TSUMORI N. (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN) ,  TAKAHASHI M. (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN) ,  KUBOTA R. (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN) ,  REGRENY P. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA) ,  GENDRY M. (Univ. de Lyon, Inst. des Nanotechnologies de Lyon, UMR-CNRS 5270, Ecole Centrale de Lyon, 69134 Ecully, FRA) ,  SAIKI T. (Graduate School of Sci. and Technol., Keio Univ., Yokohama 223-8522, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 6  ページ： 063111  発行年： 2012年02月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一半導体量子構成要素の高感度近接場撮像分光法を光通信波長で達成するために,書換え可能光記録媒体に用いる相変化材料(PCM)の光マスク層に用いる技術を提唱した。非晶質ナノ開口は高空間分解能と高収集効率の撮像分光法を可能にする。これは可視波長における相変化材料の非晶質相と結晶相の間の大きな光学的コントラストと近赤外波長におけるその高い透過性に起因する。本方法の有効性をInAs/InP量子ドットの光ルミネセンス測定と数値シミュレーションにより実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *材料 ,  光通信 ,  半導体材料 ,  近接場 ,  スペクトロスコピー ,  撮像 ,  ヒ化インジウム ,  リン化インジウム ,  シミュレーション ,  光ルミネセンス ,  *量子ドット ,  *近赤外分光分析
準シソーラス用語： 撮像分光法 ,  数値シミュレーション ,  *相変化材料 ,  *半導体量子ドット

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相変化 ,  マスク層 ,  半導体量子ドット ,  近赤外 ,  分光法