文献

J-GLOBAL ID：201202256403108733   整理番号：12A1095279

補償p型,n型単結晶シリコン太陽電池の完全絶縁破壊機構

Hard breakdown mechanisms of compensated p-type and n-type single-crystalline silicon solar cells

著者 (4件)： DUBOIS S. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  VEIRMAN J. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  ENJALBERT N. (CEA, LITEN, INES, 50 av du Lac Leman, F-73377 Le Bourget du Lac, FRA) ,  SCHEIBLIN P. (CEA-LETI Minatec, 17 rue des Martyrs, F-38054 Grenoble, FRA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 76  ページ： 36-39  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホウ素リン補償p型,n型チョクラルスキーシリコン太陽電池の完全絶縁破壊挙動について,伝導の型,正味ドーピング濃度,および温度の関数として研究した。これまでの研究から予想されていたように,著者らは,完全絶縁破壊が電子なだれ機構(衝撃的イオン化)に支配されていること,また,電子および正孔衝撃イオン化係数に対しては様々な値が報告されているにも関わらず,所与の正味ドーピングに対してp型,n型太陽電池の両方とも,完全絶縁破壊電圧がほとんど同じであることを明らかにした。本研究の補償材料は,正味ドーピング濃度は同じであるがドーピング種の総量が異なる試料に対する完全絶縁破壊電圧を定量する機会提供する。しかしながら,ドーパント補償の大きい効果は全く観測されなかった。実験式で説明される実験データは,代償されないシリコン試料を使用した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *補償 ,  *絶縁破壊 ,  ドーパント
準シソーラス用語： *補償太陽電池 ,  電気絶縁破壊

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 補償 ,  単結晶シリコン太陽電池 ,  絶縁破壊