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J-GLOBAL ID：201202256511456330   整理番号：12A0239065

歪んだフォトレジスト膜から作製したマルチスケールマイクロパターン化ポリマーとカーボン基質:作製と細胞適合性

Multiscale micro-patterned polymeric and carbon substrates derived from buckled photoresist films: fabrication and cytocompatibility

著者 (5件)： KULKARNI Manish M. (The Univ. of Akron, Dep. of Polymer Engineering, 44325, Akron, OH, USA) ,  SHARMA Chandra S. (Indian Inst. of Technol., Dep. of Chemical Engineering, 502205, Hyderabad, Yeddumailaram, Andhra Pradesh, IND) ,  SHARMA Ashutosh (Indian Inst. of Technol., Dep. of Chemical Engineering & Unit on Nanosciences, 208016, Kanpur, Uttar Pradesh, IND) ,  KALMODIA Sushma (Indian Inst. of Technol., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 208016, Kanpur, Uttar Pradesh, IND) ,  BASU Bikramjit (Indian Inst. of Technol., Dep. of Materials Sci. and Engineering, 208016, Kanpur, Uttar Pradesh, IND)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 47  号： 8  ページ： 3867-3875  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱分解で複雑なマイクロパターン化カーボン表面とするネガフォトレジスト膜の新しくて簡易なバックリング系マルチスケールパターニングについて報告した。他のポリマーと異なり,フォトレジスト層の利用は光リソグラフィによる全体的なパターン鮮明度にバックリング不安定性の形状と長さスケールを重ね合わせることとなる。フォトレジスト膜は現像過程で異方的に膨潤し,それに続く乾燥過程でより軟らかな初めのプレポリマー上の硬い架橋層の収縮の違いのため歪む。大面積で方向的に配向したジクザグパターンと同様に多様な複雑でフラクタルなバックリングパターンを生成させる条件を調べた。例えば,限界厚さ以下の膜と長いUV曝露後はいずれもより軟らかい下層を除き,バックリングは減少した。また,これらのパターン化したカーボン基質は細胞接着に対しする適合性とL929マウス線維芽細胞使用による実現可能性を示し,導電性基質とバイオ-MEMSプラットフォームへの利用の可能性を示した。歪んだカーボンパターンは平坦で単純な周期パターン化したカーボン表面に比べて細胞成長と実現可能性のある基質としてより良い選択を示した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media, LLC Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトレジスト ,  *フォトリソグラフィー ,  多重化 ,  *パターン形成 ,  *重合体 ,  *炭素 ,  *基質 ,  バックリング ,  レジスト ,  *細胞接着 ,  生体適合性 ,  線維芽細胞 ,  MEMS ,  バイオチップ
準シソーラス用語： カーボン ,  ネガティブレジスト ,  バイオMEMS ,  ポリマ ,  マルチスケール ,  ミクロパターン形成 ,  *光リソグラフィー ,  細胞適合性

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  細胞・組織培養法  (EA03040R)

タイトルに関連する用語 (6件)： フォトレジスト膜 ,  作製 ,  ポリマー ,  カーボン ,  基質 ,  細胞適合性