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J-GLOBAL ID：201202256513062917   整理番号：12A1012100

8inナノインプリントリソグラフィー用の100nm特徴サイズに及ぼすスタンプ設計の影響

Stamp design effect on 100 nm feature size for 8 inch NanoImprint lithography

著者 (5件)： LANDIS S. (CEA, Grenoble) ,  CHAIX N. ,  GOURGON C. ,  PERRET C. ,  LEVEDER T.
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 17  号： 10  ページ： 2701-9  発行年： 2006年 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 200mmシリコンスタンプについての100nm以下の分解能で商用のSumitomo NEB22レジストにホットエンボス加工を施した。電子ビームリソグラフィーで露光した単一パターンはこのスタンプを規定するものと考えられ,このパターンにより,プリントに及ぼすスタンプ設計の影響を指摘できるようにする。これらの結果は,近接プリント効果を解決するルールを規定する最初の試みとして考えられる。更に,56~506nmの広範囲の初期厚さのレジストをスピンコーティングして,スタンプ空洞充填およびプリント欠陥mに対するポリマ流動特性の影響を評価した。高密度孔パターンにおけるプリントレジストを詳細に解析し,アプリケーションボリューム保存が残余層厚をプリントレジスト特長の高さとして計算するのに十分であることを示した。この理論的手法と実験結果はよく一致した。更に,本文では,非プリント領域だけでなくプリント領域において,型のド変形に及ぼすパターン対称性破壊の影響を明確に示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 押付成形 ,  *エンボス加工 ,  印字 ,  パターン形成 ,  フォトレジスト ,  *電子ビームリソグラフィー ,  *ホットエンボス加工 ,  スタンプ
準シソーラス用語： *ナノインプリントリソグラフィー ,  ナノリソグラフィー ,  フィーチャサイズ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノインプリントリソグラフィー ,  サイズ ,  スタンプ ,  設計