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J-GLOBAL ID：201202256562319630   整理番号：12A0871681

電気化学エッチング法による多孔質シリコンベースのシリコンオンインシュレータフォトニック結晶の製作

Fabrication of porous silicon-based silicon-on-insulator photonic crystal by electrochemical etching method

著者 (4件)： ZHONG Furu (Xinjiang Univ., Urumqi, CHN) ,  LV Xiao-Yi (Xinjiang Univ., Urumqi, CHN) ,  JIA Zhen-Hong (Xinjiang Univ., Urumqi, CHN) ,  MO Jiaqing (Xinjiang Univ., Urumqi, CHN)
資料名： Optical Engineering  (Optical Engineering)
巻： 51  号： 4  ページ： 040502.1-040502.3  発行年： 2012年04月 
JST資料番号： B0577B  ISSN： 0091-3286  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多孔質シリコンを利用して,シリコンオンインシュレータフォトニック結晶が製作されている。フォトニックバンドギャップが可視域で広いフォトニック結晶を高速に作製する方法が求められている。本論文では,シリコンオンインシュレータフォトニック結晶の製作法について検討した。電気化学エッチング法でシリコンオンインシュレータフォトニック結晶を製作する方法を提案した。電流を調整して,屈折率を周期変調し,様々なフォトニック結晶を製作した。フォトニック結晶の形態や反射率スペクトルを調べて,この性能を評価した。走査電子顕微鏡法や原子間力顕微鏡法を利用した。この結果,シリコンオンインシュレータフォトニック結晶が可視域で広いフォトニックバンドギャップを有し,高速に作製できることが分かった。

シソーラス用語： *フォトニックバンドギャップ ,  周期構造 ,  SOI構造 ,  *多孔質シリコン ,  電気化学 ,  エッチング ,  反射スペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  顕微鏡観察 ,  *フォトニック結晶
準シソーラス用語： シリコン・オン・インシュレータ技術 ,  原子間力顕微鏡法 ,  走査電子顕微鏡法 ,  電気化学エッチング

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学エッチング ,  多孔質シリコン ,  シリコンオンインシュレータ ,  フォトニック結晶 ,  製作