文献

J-GLOBAL ID：201202256599854497   整理番号：12A0620242

半導体カーボンナノチューブネットワークを用いるきわめて屈曲性の高性能集積回路のデジタル,アナログ,およびrf応用

Extremely Bendable, High-Performance Integrated Circuits Using Semiconducting Carbon Nanotube Networks for Digital, Analog, and Radio-Frequency Applications

著者 (12件)： WANG Chuan (Univ. California, California, USA) ,  WANG Chuan (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  CHIEN Jun-Chau (Univ. California, California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Univ. California, California, USA) ,  TAKAHASHI Toshitake (Univ. California, California, USA) ,  NAH Junghyo (Univ. California, California, USA) ,  TAKEI Kuniharu (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  TAKAHASHI Toshitake (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  NAH Junghyo (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  NIKNEJAD Ali M. (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Univ. California, California, USA) ,  JAVEY Ali (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 3  ページ： 1527-1533  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリイミド基板上にチタン/金背面ゲート電極を蒸着し,アルミナ/酸化ケイ素誘電体層を積層し,ポリ-L-リジンによりアミノ末端官能化,半導体カーボンナノチューブネットワークの担持,ビアホール形成,チタン/パラジウムソース・ドレイン電極形成,不要部のプラズマエッチング除去によって,屈曲性のカーボンナノチューブ回路を作製した。TFT,NAND,NOR論理ゲート,インバーター集積回路,RF発信器(170MHz)の作製例を示した。

シソーラス用語： *カーボンナノチューブ ,  *ネットワーク構造 ,  *半導体 ,  *屈曲度 ,  集積回路 ,  アナログ回路 ,  *ポリイミド ,  高分子膜 ,  電極 ,  金電極 ,  ゲート【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  蒸着 ,  アルミナ ,  酸化ケイ素 ,  *誘電体 ,  層 ,  *ポリリジン ,  穴あけ ,  ドレイン【半導体】 ,  プラズマエッチング ,  *薄膜トランジスタ ,  NAND回路 ,  NOR回路 ,  *論理回路 ,  論理素子 ,  *インバータ ,  *電気回路
準シソーラス用語： *RF回路 ,  TFT【トランジスタ】 ,  インバータ回路 ,  チタン電極 ,  ディジタル素子 ,  パラジウム電極 ,  屈曲性 ,  穴あけ加工 ,  高分子フィルム ,  積層 ,  発信機 ,  論理ゲート

分類 (3件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  高分子担体・触媒反応  (CG03030W) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 半導体カーボンナノチューブ ,  屈曲性 ,  高性能 ,  集積回路 ,  デジタル ,  アナログ ,  RF ,  応用