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J-GLOBAL ID：201202256978576810   整理番号：12A0531465

ジャンクションレスダブルゲートMOSFETにおけるオン-オフ電荷-電圧特性とドーパント数揺らぎの効果

On-Off Charge-Voltage Characteristics and Dopant Number Fluctuation Effects in Junctionless Double-Gate MOSFETs

著者 (5件)： TAUR Yuan (Univ. California, CA, USA) ,  CHEN Han-Ping (Univ. California, CA, USA) ,  WANG Wei (Texas Instruments, TX, USA) ,  LO Shih-Hsien (IBM T.J. Res. Center, NY, USA) ,  WANN Clement (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 3  ページ： 863-866  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近提案されているジャンクションレスMOSFETは,チャネルがソースドレインと同じ型で同程度の濃度にドープされている。利点は急峻なソースドレインドーピング傾斜が必要でないので製造し易いこととキャリア移動度が高いことである。ゲート電圧の関数としての可動電荷密度のオンオフ特性を解析することで,ジャンクションレスダブルゲート(DG)MOSFETを評価した。アンドープDG MOSFETと比較するとジャンクションレスMOSFETはオンオフ電荷特性で劣り,高い°ドーピングレベルでより低下する。より重要な問題は,最小幅ジャンクションレスMOSFETの閾値電圧に対するドーパント数揺らぎの効果である。一次解析表現では1シグマ閾値揺らぎはドーピング濃度の平方根に比例する。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *素子構造 ,  *ドーパント ,  電圧 ,  半導体接合 ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  ダブルゲート ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOSFET ,  オフ ,  電荷 ,  電圧特性 ,  ドーパント ,  揺らぎ