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J-GLOBAL ID：201202256999268473   整理番号：12A0430569

GaおよびN極性材料に対するGaNヘテロ接合におけるSiN/AlGaN界面での界面準位

Interface states at the SiN/AlGaN interface on GaN heterojunctions for Ga and N-polar material

著者 (3件)： YELURI Ramya (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  SWENSON Brian L. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California Santa Barbara, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 4  ページ： 043718  発行年： 2012年02月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化ガリウムベース半導体素子の安定性と信頼性を改良するのに誘電不動態化が重要である。利点を有効活用するには各種誘電体とその窒化物への界面を正確に特性評価する事が必要である。初期に,B.L.SwensonとU.K.Mishra[同誌Vol.106.064902(2009)]はGa極性SiN/GaN界面について誘電体のバンドギャップを横切る界面状態密度(D_it)の正確な値を与える光駆動高周波CV特性評価法を詳述した。ここでは,GaおよびN極性材料に対するGaN上のSiN/AlGaN界面での界面準位を調べるのにこの手法を拡張した。これはAlGaN/GaN HEMT構造を模している。AlGaN/GaNヘテロ接合の上にあるSiN上の金属から構成されたMIS型構造が研究に使用された。1nmのAlGaN中間層を持つ構造に対して,2.8×10¹²cm^-2eV^-1のピーク界面状態密度を測定した。Ga極性素子については,測定されたD_itがAlGaN厚増加で減少する。N極性の場合,測定されたD_itはAlGaN厚増加で増加する。二つの場合の,AlGaN厚による測定D_itの変化はAlGaN/GaN界面での蓄積電荷からのスクリーニングで解釈できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *アルミニウム化合物 ,  *ヘテロ接合 ,  誘電体 ,  *窒化ケイ素 ,  *表面準位 ,  状態密度 ,  化合物半導体 ,  HEMT ,  *MIS構造 ,  帯電 ,  スクリーニング ,  バンドギャップ ,  半導体素子 ,  安定性 ,  信頼性 ,  不動態化 ,  容量電圧特性 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  極性
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  *界面準位 ,  界面状態密度 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  電荷蓄積 ,  表面不動態化

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： Ga ,  極性 ,  GaN ,  ヘテロ接合 ,  SiN ,  AlGaN ,  界面 ,  界面準位