文献

J-GLOBAL ID：201202257437790653   整理番号：12A0652629

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってZnO(0001)基板のO面上に成長させたInN薄膜の構造特性

Structural properties of InN films grown on O-face ZnO(0001) by plasma-assisted molecular beam epitaxy

著者 (7件)： CHO Yongjin (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  BRANDT Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  KORYTOV Maxim (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU) ,  ALBRECHT Martin (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str. 2, 12489 Berlin, DEU) ,  KAGANER Vladimir M. (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  RAMSTEINER Manfred (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU) ,  RIECHERT Henning (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 15  ページ： 152105-152105-4  発行年： 2012年04月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマ支援分子ビームエピタクシーによってZnO(0001)基板のO面上に直接成長させたInN薄膜の形態と構造の特性に対する基板温度と層厚の効果を研究した。基板温度を上昇させると,InNとZnOの界面反応が起こり,最終的には立方晶のIn₂O₃とボイドが形成されることが分かった。しかし,基板温度が550°C以下の場合には,InN薄膜の特性は界面反応の影響を受けないことが判明した。実際,350~500°Cの温度域で基板温度を上昇させると,InNの形態と構造の品質が向上することが分かった。貫通転位密度の低い高品質の薄膜の形成を実証する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MBE成長 ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  *窒化インジウム ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板温度 ,  膜厚 ,  立方晶系 ,  空孔欠陥 ,  不均一系反応 ,  貫通転位 ,  転位密度
準シソーラス用語： プラズマ支援MBE成長 ,  界面反応 ,  薄膜形態

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  ZnO ,  成長 ,  InN ,  薄膜 ,  構造特性