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J-GLOBAL ID：201202257515543374   整理番号：12A1547888

STT-MRAMの界面工学による不揮発性作業メモリの実証

Demonstration of Non-volatile Working Memory through Interface Engineering in STT-MRAM

著者 (7件)： YOSHIDA C. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  OCHIAI T. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  IBA Y. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  YAMAZAKI Y. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  TSUNODA K. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  TAKAHASHI A. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN) ,  SUGII T. (Low-power Electronics Assoc. & Project (LEAP), Ibaraki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2012  ページ： 59-60  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： STT-MRAMを作業メモリとして用いるには,短いパルスの下で10¹⁶以上の書込み持続時間が必要とされる。磁気トンネル接合(MTJs)の構造的および電子的特性を改良するようにMg金属のポスト酸化により作製されたMgO障壁の界面を設計した。酸化MgO障壁の上下のシード層の効果を調べ,電子的特性を改良した酸化障壁の下でのみシード層のあるMTJを見つけた。このMTJは0.65Vの動作電圧下の10nsパルスで10¹⁶以上の書込サイクルを満たした。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  工学 ,  MRAM ,  障壁 ,  酸化マグネシウム ,  下層 ,  パルス ,  データ書込
準シソーラス用語： 界面工学 ,  *不揮発性作業メモリ

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (5件)： STT-MRAM ,  界面 ,  工学 ,  不揮発性 ,  実証