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J-GLOBAL ID：201202257654495350   整理番号：12A0790268

モンテカルロ法を使用したInAs_1-xSb_xの非線形熱電係数の計算

Calculation of Nonlinear Thermoelectric Coefficients of InAs_1-xSb_x Using Monte Carlo Method

著者 (5件)： BANAN SADEGHIAN Ramin (Univ. of California, Baskin School of Engineering, 95064, Santa Cruz, CA, USA) ,  BAHK Je-Hyeong (Univ. of California, Baskin School of Engineering, 95064, Santa Cruz, CA, USA) ,  BIAN Zhixi (Univ. of California, Baskin School of Engineering, 95064, Santa Cruz, CA, USA) ,  SHAKOURI Ali (Univ. of California, Baskin School of Engineering, 95064, Santa Cruz, CA, USA) ,  SHAKOURI Ali (Purdue Univ., School of Electrical and Computer Engineering, Electrical Engineering Building, 465 Northwestern Ave. ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 41  号： 6  ページ： 1370-1375  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量ドープした熱電材料が大きい電界下にある場合,非線形Peltier効果が起こり冷却力密度を増加させることが分かった。この効果は,電子分布が平衡からはるかに離れたことによるSeebeck係数の増加によるものである。非平衡輸送領域では,緩和時間近似のBoltzmann輸送方程式の解の適用が止まる。一方,モンテカルロ法は小スケールの半導体デバイスおよび局所非平衡電荷分布を持つ熱電効果のシミュレーションツールとして使用できることが分かった。InAs_1-xSb_xは,InSbとInAsの二元化合物から受け継いだその高い移動度により非線形動作用の効果的な熱電材料である。本研究で筆者等は,非線形Peltier粉体InAs_1-xSb_xの低いドーピングレベル,室温および低温度におけるシミュレーション結果を報告した。非線形動作における熱電力率を線形輸送領域における最適ドーピングで達成できる最大値と比較した。Copyright 2011 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  *Peltier効果 ,  *熱電材料 ,  性能 ,  能力 ,  冷却 ,  輸送係数 ,  キャリア移動度 ,  制御動作 ,  非線形性 ,  力率 ,  ドーピング ,  インジウム化合物 ,  アンチモン化インジウム ,  ヒ化インジウム ,  熱電効果 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： *InAsSb ,  Seebeck係数 ,  非線形動作 ,  冷却性能

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： モンテカルロ法 ,  非線形 ,  係数 ,  計算