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J-GLOBAL ID：201202257729569826   整理番号：12A1101683

スプレー支援 霧CVD法でサファイヤ上に成長させた すずドーピング電気伝導性コランダム-構造 α-Ga₂O₃薄膜

Electrical Conductive Corundum-Structured α-Ga₂O₃ Thin Films on Sapphire with Tin-Doping Grown by Spray-Assisted Mist Chemical Vapor Deposition

著者 (2件)： AKAIWA Kazuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 7,Issue 1  ページ： 070203.1-070203.3  発行年： 2012年07月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c-面サファイヤ基板上に電気伝導性スズ-ドーピングα-Ga₂O₃薄膜の製作を報告した。霧CVD法はスズ原子密度最高10²⁰cm^-3までの薄膜でX線回折ω-走査ロッキング曲線で全幅値が40arcsec程度に小さいことでハイライトされる目立つ他の相のない高結晶性のスズ-ドーピングα-Ga₂O₃薄膜をもたらした。抵抗率は,スズのより多くのドーピングで減少した,そして,最小抵抗率のα-Ga₂O₃薄膜は2.8cm² V^-1s^-1のHall移動度と2.7×10¹⁹ cm^-3のキャリア密度のn型伝導性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  サファイア ,  基板 ,  電気伝導率 ,  スズ ,  ドーピング ,  *薄膜 ,  X線回折 ,  Hall移動度

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (17件)：

• 1) D. Shinohara and S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) 7311.
• 2) M. Onta, H. Ohta, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 4166.
• 3) N. Suzuki, S. Ohira, M. Tanaka, T. Sugawara, K. Nakajima, and T. Shishido: Phys. Status Solidi C 4 (2007) 2310.
• 4) K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, and H. Hosono: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 092106.
• 5) T. Oshima, T. Okuno, and S Fujita. Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) 7217.

タイトルに関連する用語 (11件)： スプレー ,  支援 ,  霧 ,  CVD法 ,  サファイヤ ,  成長 ,  すず ,  ドーピング ,  電気伝導性 ,  コランダム ,  薄膜