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J-GLOBAL ID：201202257769177106   整理番号：12A1506601

サブ原子層堆積で成長させたInGaN/GaNヘテロ構造

InGaN/GaN heterostructures grown by submonolayer deposition

著者 (13件)： TSATSULNIKOV A. F. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  TSATSULNIKOV A. F. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  LUNDIN W. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  LUNDIN W. V. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  ZAVARIN E. E. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  ZAVARIN E. E. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  SAKHAROV A. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  SAKHAROV A. V. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  MUSIKHIN Yu. G. ,  USOV S. O. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., ul. Politekhnicheskaya 26, 194021, St.Petersburg, RUS) ,  USOV S. O. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  MIZEROV M. N. (Russian Acad. of Sciences, Submicron Heterostructures for Microelectronics Res. and Engineering Center, ul. ...) ,  CHERKASHIN N. A. (Center for Material Elaboration and Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Res. (CNRS) ...)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 10  ページ： 1335-1340  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サブ原子層堆積で成長させたInGaN超薄膜を含んだInGaN/(Al,Ga)Nヘテロ構造を調べた。InGaNとGaNを実効厚みが単原子層未満の繰り返し堆積で成長させると,InGaN層中に高さが3~4nmで横が5~8nmの局所的にInリッチの領域の形成を伴う相分離が明らかになった。サブ原子層成長の間の水素雰囲気中での成長の中断がInGaN/(Al,Ga)Nヘテロ構造の構造と光学的性質に与える効果を調べた。これらの中断は相分離を促進することを示した。Inリッチ領域の形成はサブ原子層成長サイクルにおけるInGaNとGaNの実効厚みを変えることで制御できた。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  膜厚 ,  *相分離 ,  雰囲気 ,  光学的性質 ,  制御 ,  化合物半導体 ,  超薄膜 ,  アルミニウム化合物 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 原子層堆積 ,  水素雰囲気 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  *ヘテロ構造 ,  窒化アルミニウムガリウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  原子層堆積 ,  成長 ,  InGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造