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J-GLOBAL ID：201202257958977393   整理番号：12A0651737

InGaN/GaNナノロッドの発光ダイオードの内部量子効率におよぼす歪と欠陥の影響

Effects of Strains and Defects on the Internal Quantum Efficiency of InGaN/GaN Nanorod Light Emitting Diodes

著者 (6件)： CHANG Chun-Hsiang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  CHEN Liang-Yi (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG Li-Chuan (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  WANG Yu-Ting (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LU Tzu-Chun (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HUANG Jian Jang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： IEEE Journal of Quantum Electronics  (IEEE Journal of Quantum Electronics)
巻： 48  号： 3-4  ページ： 551-556  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0432A  ISSN： 0018-9197  CODEN： IEJQA7  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノロッドのエッチング深さの異なるNR300とNR450を用いた発光ダイオードの光学特性を調べた。NR300とNR450のエッチング深さはそれぞれ300μmと450μmである。ラマンスペクトルに基づいて,NR450はInGaN/GaN内で歪がより緩和されるが,より多くの側壁欠陥を持つ。注入電流が0~100mAの範囲ではNR450の光出力強度(LOI)はNR300のLOIよりも小さく,これは特に低電流で外部量子効率(EQE)において欠陥が優勢になる現象を示唆する。それにもかかわらず,NR450がより高い電流ピーク値を有しかつ効率の低下が低いのはキャリアオーバーフローの影響がより高い電流で有効になり始めることを示唆する。欠陥の数が室温よりも少ない220Kでは,注入されたキャリアの大部分が2分子放射再結合に関与し,NR300においてより小さい電流で最大のEQEのピークを構築する。本検討結果はより短いエッチング深さがより高い光出力のために好ましいことを示唆する。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *量子効率 ,  エッチング ,  *歪 ,  側壁 ,  *欠陥 ,  再結合 ,  ナノロッド ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化ガリウム
準シソーラス用語： GaN ,  InGaN ,  外部量子効率 ,  光出力 ,  内部量子効率 ,  放射再結合

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： InGaN ,  GaN ,  ナノロッド ,  発光ダイオード ,  内部量子効率 ,  歪 ,  欠陥