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J-GLOBAL ID：201202258087343620   整理番号：12A1099985

垂直整列InAs/GaAsSbドット構造を用いた中間バンド太陽電池素子の特性の改善

Improving the characteristics of intermediate-band solar cell devices using a vertically aligned InAs/GaAsSb quantum dot structure

著者 (5件)： LIU Wei-sheng (Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan) ,  WU Hong-ming (Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan) ,  TSAO Fu-hsiang (Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan) ,  HSU Tsan-lin (Dep. of Photonics Engineering, Yuan Ze Univ., Chung-Li, Taiwan) ,  CHYI Jen-inn (Dep. of Electrical Engineering, National Central Univ., Chung-Li, Taiwan)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 105  ページ： 237-241  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,InAs量子ドット上にGaAsSb層をキャッピングして,垂直整列量子ドット(QD)構造と量子ドット中間バンド太陽電池(QD-IBSC)の性能を改善する可能性を実証した。実験結果は,逐次的垂直整列ドット層成長の進行過程における歪修飾によりドットサイズの一様性が著しく改善されることを示唆する。InAs/GaAsSb柱状ドット構造をもつ太陽電池素子では,GaAs参照電池に比べて短絡電流(J_sc)が8.8%増大した。このドット構造は,また,低エネルギー光子の吸収により量子効率が1200nmまで増加を示した。InAs/GaAsSb QD-IBSCでは,また開放電圧(V_oc)が改善され,これは不整合欠陥密度と再結合電流密度の低減を示唆した。この研究の結果から,柱状InAs/GaAsSb QD構造が素子性能の向上に有効であることが確認できた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *分子配向 ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  *ヒ化インジウム ,  半導体薄膜 ,  アンチモン化物 ,  ヒ化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *太陽電池 ,  格子歪 ,  *短絡電流 ,  量子効率 ,  電圧 ,  欠陥密度 ,  再結合
準シソーラス用語： 垂直整列 ,  開放電圧

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直整列 ,  InAs ,  GaAsSb ,  ドット ,  中間バンド