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J-GLOBAL ID：201202258134619516   整理番号：12A0723360

有機電界効果トランジスタの周波数応答特性の温度依存性

Temperature dependence of frequency response characteristics in organic field-effect transistors

著者 (6件)： LU Xubing (Inst. for Advanced Materials, School of Physics and Telecommunication, South China Normal Univ., Guangzhou 510006, CHN) ,  MINARI Takeo (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...) ,  LIU Chuan (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...) ,  KUMATANI Akichika (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...) ,  LIU J.-m. (Inst. for Advanced Materials, School of Physics and Telecommunication, South China Normal Univ., Guangzhou 510006, CHN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Tsukuba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 18  ページ： 183308-183308-4  発行年： 2012年04月30日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの周波数応答特性は,電子デバイスの高速動作に重要な役割を果たしている。ペンタセンベース有機電界効果トランジスタ及び金属-絶縁体-半導体キャパシタの動的特性の温度依存性を調べた。温度が低下すると容量-電圧特性は大きな周波数分散と高周波数でフラットバンド電圧の負のシフトを示した。カットオフ周波数は,様々なゲート電圧で異なる活性化エネルギーの値を持つアレニウス型の温度依存性を示しています。移動度減少により低温での交流電流信号における高速充電応答が妨げられ,これらの現象から,周波数応答特性に及ぼす電荷トラップの効果が示された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *温度依存性 ,  *薄膜コンデンサ ,  MIS構造 ,  *周波数応答 ,  容量電圧特性 ,  分散【dispersion】 ,  電圧 ,  遮断周波数 ,  キャリア移動度 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： *有機電界効果トランジスタ ,  MISキャパシタ ,  周波数分散 ,  フラットバンド電圧 ,  電荷トラップ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 有機電界効果トランジスタ ,  周波数応答特性 ,  温度依存性