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J-GLOBAL ID：201202258281229480   整理番号：12A1081080

遷移金属酸化物への低エネルギーH⁺照射による抵抗スイッチングフィラメントの制御可能な形成

Controllable formation of resistive switching filaments by low-energy H⁺ irradiation in transition-metal oxides

著者 (6件)： ZHANG Yu (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  LI Song-lin (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  LI Jie (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  DENG Hui (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  CUI Li-min (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN) ,  ZHENG Dong-ning (Beijing National Lab. for Condensed Matter Physics, Inst. of Physics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100190, CHN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 043502-043502-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化物へのイオン照射効果と反応を通して,低エネルギーH⁺照射による純絶縁酸化物中にユニポーラ抵抗フィラメントを制御して形成する概念を実証した。制御できない通常の電鋳工程と対照的に,本方法はスイッチングフィラメントの密度と分布範囲を十分に制御でき,伝導チャンネルの不規則な生起確率を大幅に低減する。本方法で作製した記憶素子は初期電鋳工程が不要で,良好なスイッチング性能を示す。イオン照射は抵抗ランダムアクセスメモリの性能を向上させる効果的方法である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチング ,  *イオン照射 ,  陽子ビーム ,  フィラメント ,  *RAM【メモリ】 ,  酸化物 ,  遷移金属化合物
準シソーラス用語： 遷移金属酸化物 ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗フィラメント

分類 (1件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 遷移金属酸化物 ,  低エネルギー ,  抵抗スイッチング ,  フィラメント