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J-GLOBAL ID：201202258298892159   整理番号：12A0214803

引張Si/圧縮Si_0.5Ge_0.5/引張歪Siヘテロ構造へのp型イオン注入

p-Type Ion Implantation in Tensile Si/Compressive Si_0.5Ge_0.5/Tensile Strained Si Heterostructures

著者 (6件)： MINAMISAWA R. A. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  BUCA D. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HOLLAENDER B. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU) ,  HARTMANN J. M. (LETI, CEA, Grenoble, FRA) ,  BOURDELLE K. K. (SOITEC, Bernin, FRA) ,  MANTL S. (Forschungszentrum Juelich, Juelich, DEU)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 1  ページ： H44-H51  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低濃度pドープした200mmSOI基板から出発し,145nmの埋込み酸化物層上の15nmの二軸歪Si層から成る引張歪SOI(SSOI)を作製した。Si_0.5Ge_0.5層は550°Cで堆積し,Siキャップを600°Cで堆積した。B⁺及びBF₂⁺イオンを注入した。さらに,前もってSi⁺をイオン注入(アモルファス化)した歪Si/歪Si_0.5Ge_0.5/SSOIヘテロ構造(Si⁺+B⁺)にB⁺イオンを注入した。B⁺,BF₂⁺及びSi⁺の注入エネルギーはそれぞれ1.5keV,6keV及び10keVとした。ドーパントの活性化は550~850°CでのRTAにより行った。(Si⁺+B⁺)試料で最高のドーパント活性化が得られたが,弾性歪みは大きく緩和した。シート抵抗の低さと弾性歪み保持との間の最良のトレードオフは1×10¹⁵イオン/cm²のBF₂⁺イオン注入と650°Cの低温アニールで得られた。実験結果を表面を介した自己格子間原子の消失及びFrenkel対消滅による固相再結晶化の観点から説明した。最後に,イオン注入とアニールパラメータを最適化した高kゲート誘電体GdScO₃をもつ短チャネル歪Si/歪SiGe/SSOI量子井戸MOSFETを作製し,その電気特性を評価した。このデバイスは完全に歪んだソース/ドレイン領域をもち,良好な電気特性を示した。

シソーラス用語： SOI構造 ,  引張 ,  圧縮 ,  *ケイ素 ,  *半導体材料 ,  *格子歪 ,  半導体薄膜 ,  *ヘテロ接合 ,  *イオン注入 ,  P型半導体 ,  アモルファス化 ,  RTA【熱処理】 ,  ホウ素 ,  フッ化ホウ素 ,  酸化膜 ,  短チャネル効果 ,  *歪層量子井戸 ,  *MOSFET ,  半導体接合 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *SiGe ,  高k誘電体 ,  ゲート誘電体 ,  超浅接合

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 引張 ,  Si ,  引張歪 ,  ヘテロ構造 ,  イオン注入