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J-GLOBAL ID：201202258323526804   整理番号：12A0783891

圧電性マグネトロンスパッタw-Sc_xAl_1-xN薄膜の微細構造と誘電性

Microstructure and dielectric properties of piezoelectric magnetron sputtered w-Sc_xAl_1-xN thin films

著者 (10件)： ZUKAUSKAITE Agne (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  WINGQVIST Gunilla (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  PALISAITIS Justinas (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  JENSEN Jens (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  PERSSON Per O. A. (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  MATLOUB Ramin (Ceramics Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne, CHE) ,  MURALT Paul (Ceramics Lab., Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL, Lausanne, CHE) ,  KIM Yunseok (Center for Nanophase Materials Sciences, Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, Tennessee 37831, USA) ,  BIRCH Jens (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE) ,  HULTMAN Lars (Thin Film Physics Div., Dep. of Physics, Chemistry, and Biology (IFM), Linkoeping Univ., SE-581 83 Linkoeping, SWE)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 9  ページ： 093527-093527-7  発行年： 2012年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 圧電性ウルツ鉱型Sc_xAl_1-xN(x=0,0.1,0.2,0.3)薄膜をスカンジウムとアルミニウムターゲットからの応性マグネトロンスパッタリングでエピタキシャル成長させた。基板としてTiN(111)シード層と電極を持つAl₂O₃(0001)ウエハを用いた。X線回折でSc含有量が増すと結晶の質が低下することを示した。400°Cで成長した試料は極めて低い誘電損を伴う真正の誘電挙動を示し,漏れ電流も無視できた。800°Cで成長したScAlN試料では結晶構造は劣っており,漏れ電流は大きかった。エネルギー分散X線分光マッピング付透過型電子顕微鏡は,基板温度を400から800°Cに高めるとx≧0.2でScNリッチ領域とAlNリッチ領域に質量分離を起こすことを示した。エピタキシャルSc_xAl_1-xN膜の圧電応答は圧電力顕微鏡と二重ビーム干渉で測り,基板温度と関係なくx=0.2までのScの添加で180%の増加を示した。これは密度汎関数法計算の予測と良く一致していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *誘電体薄膜 ,  *圧電材料 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *窒化アルミニウム ,  *スカンジウム ,  *ドーピング ,  *エピタクシー ,  酸化アルミニウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *結晶度 ,  *漏れ電流 ,  誘電損失 ,  *相分離 ,  透過型電子顕微鏡 ,  力顕微鏡 ,  密度汎関数法 ,  化合物半導体 ,  基板
準シソーラス用語： 圧電応答力顕微鏡 ,  窒化チタン

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 圧電性 ,  マグネトロンスパッタ ,  薄膜 ,  微細構造 ,  誘電性